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Imagen NJVMJB42CT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJB42CT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NJVMJB42CT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJVMJB42CT4G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NJVMJB42CT4G-ND
NJVMJB42CT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 6A 3MHz 2W Surface Mount D2PAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

700µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A
Número de pieza base

MJB42

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