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486370Imagen NJVMJD112T4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD112T4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NJVMJD112T4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NJVMJD112T4G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    20W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    25MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 20W Surface Mount DPAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    20µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A
  • Número de pieza base
    MJD112

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