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4105424Imagen NJVMJD122T4G-VF01AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD122T4G-VF01

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NJVMJD122T4G-VF01
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NJVMJD122T4G-VF01.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    4V @ 8A, 80mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.75W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    NJVMJD122T4G
    NJVMJD122T4G-ND
    NJVMJD122T4G-VF01OSTR
    NJVMJD122T4GOSTR
    NJVMJD122T4GOSTR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    8A
  • Número de pieza base
    MJD122

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