NTHD2102PT1

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD2102PT1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTHD2102PT1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

NTHD2102PT1OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 2.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A
Número de pieza base

NTHD2102P

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Los siguientes son productos relacionados con "NTHD2102PT1".

NTHD3102CT1G

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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