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744623Imagen NTHD3101FT3AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD3101FT3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTHD3101FT3
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    NTHD3101FT3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.1W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 3.2A (Tj) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3.2A (Tj)

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