NTHD3100CT3

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD3100CT3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTHD3100CT3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 3.2A
Número de pieza base

NTHD3100C

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NTH567AD

Descripción: IC CHIP

Fabricantes: Pulse Electronics Corporation

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