NTHD3101FT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NTHD3101FT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTHD3101FT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ChipFET™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.2A (Tj) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Tj)

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NTHD3100CT1

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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