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NTLGD3502NT2G

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Especificaciones

Número de pieza

NTLGD3502NT2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLGD3502NT2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-DFN (3x3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Potencia - Max

1.74W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 3.6A
Número de pieza base

NTLGD3502N

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTLGD3502NT2G".

NTLJD3119CTAG

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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