NTLJD2105LTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJD2105LTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJD2105LTBG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 4A, 4.5V
Potencia - Max

520mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTLJD2104PTAG

Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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