NTLGF3501NT2G

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Especificaciones

Número de pieza

NTLGF3501NT2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLGF3501NT2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-DFN (3x3)
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.14W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-VDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-DFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTLGF3501NT2G".

NTLJD3182FZTAG

Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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