NTLJD2104PTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJD2104PTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJD2104PTBG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 3A, 4.5V
Potencia - Max

700mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

467pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.4A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTLJD3183CZTBG

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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