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Imagen NTLJD3181PZTBG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJD3181PZTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLJD3181PZTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLJD3181PZTBG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-WDFN (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V
Potencia - Max

710mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

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