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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-puentes rectificadores > GBL06-G
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6755778Imagen GBL06-GComchip Technology

GBL06-G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GBL06-G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    600V
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 4A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    GBJ
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    4-SIP, GBJ
  • Otros nombres
    641-1752-5
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBJ
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    4A
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL04 D2G

GBL04 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL04

GBL04

Descripción: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL08 D2G

GBL08 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL06 D2G

GBL06 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL06HD2G

GBL06HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL04-E3/51

GBL04-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL04HD2G

GBL04HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL06

GBL06

Descripción: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
GBL08

GBL08

Descripción: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
GBL08-G

GBL08-G

Descripción: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles

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