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DMN1017UCP3-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN1017UCP3-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN1017UCP3-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X3-DSN1010-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 5A, 3.3V
La disipación de energía (máximo)

1.47W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1503pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 3.3V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 3.3V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 7.5A (Ta) 1.47W Surface Mount X3-DSN1010-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

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