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6384719Imagen DMN1019USN-13Diodes Incorporated

DMN1019USN-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN1019USN-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN1019USN-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SC-59
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    680mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    DMN1019USN-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2426pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    50.6nC @ 8V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 2.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    12V
  • Descripción detallada
    N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    9.3A (Ta)

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