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Imagen DMN1033UCB4-7

Diodes Incorporated

DMN1033UCB4-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN1033UCB4-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN1033UCB4-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

U-WLB1818-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

1.45W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

4-UFBGA, WLBGA
Otros nombres

DMN1033UCB4-7DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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