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Imagen DMN1019UVT-13

Diodes Incorporated

DMN1019UVT-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN1019UVT-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN1019UVT-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.73W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

DMN1019UVT-13DI
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2588pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50.4nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.7A (Ta)

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