DMN1003UCA6-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN1003UCA6-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN1003UCA6-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo

X3-DSN3518-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

2.67W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, No Lead
Otros nombres

DMN1003UCA6-7DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3315pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2.67W Surface Mount X3-DSN3518-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Los siguientes son productos relacionados con "DMN1003UCA6-7".

DMN1016UCB6-7

Descripción: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

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