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1170688Imagen RS1G-13Diodes Incorporated

RS1G-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1G-13
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    SMA
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    RS1GDITR
    RS1GTR
    RS1GTR-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    RS1G
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G M2G

RS1G M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G/1

RS1G/1

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G R3G

RS1G R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G

RS1G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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