Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RS1G-E3/5AT
RFQs/Orden (0)
español
español
6085611Imagen RS1G-E3/5ATElectro-Films (EFI) / Vishay

RS1G-E3/5AT

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1+
$0.43
10+
$0.319
100+
$0.181
500+
$0.12
1000+
$0.092
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1G-E3/5AT
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    RS1G-E3/5ATGIDKR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1G-13

RS1G-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1G R3G

RS1G R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1GB-13

RS1GB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G M2G

RS1G M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G/1

RS1G/1

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1G

RS1G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir