IXTM67N10

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Especificaciones

Número de pieza

IXTM67N10
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

POWER MOSFET TO-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTM67N10.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-204AE
Serie

GigaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 33.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-204AE
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

260nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

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IXTM5N100

Descripción: POWER MOSFET TO-3

Fabricantes: IXYS Corporation

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