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Imagen RFN10B3STL

Rohm Semiconductor

RFN10B3STL

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Especificaciones

Número de pieza

RFN10B3STL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RFN10B3STL.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

10A
Tensión - Desglose

CPD
Serie

-
Estado RoHS

Digi-Reel®
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RFN10B3STLDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction

30ns
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

RFN10B3STL
Descripción ampliada

Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
configuración de diodo

10µA @ 350V
Descripción

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.5V @ 10A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

350V
Capacitancia Vr, F

150°C (Max)

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