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Imagen RFN20NS4SFHTL

LAPIS Semiconductor

RFN20NS4SFHTL

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Especificaciones

Número de pieza

RFN20NS4SFHTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RFN20NS4SFHTL.pdf
2.RFN20NS4SFHTL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.55V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

430V
Paquete del dispositivo

LPDS
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

30ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

RFN20NS4SFHTLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 430V 20A Surface Mount LPDS
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 430V
Corriente - rectificada media (Io)

20A
Capacitancia Vr, F

268pF @ 0V, 1MHz

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