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5927477Imagen RFN10T2DLAPIS Semiconductor

RFN10T2D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RFN10T2D
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RFN10T2D.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    980mV @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220FN
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    5A

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