Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RFN20NS3SFHTL
RFQs/Orden (0)
español
español
1298000Imagen RFN20NS3SFHTLLAPIS Semiconductor

RFN20NS3SFHTL

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1+
$1.45
10+
$1.286
100+
$1.016
500+
$0.788
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    RFN20NS3SFHTL
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.35V @ 20A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    350V
  • Paquete del dispositivo
    LPDS
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    35ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    RFN20NS3SFHTLCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 350V 20A Surface Mount LPDS
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 350V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    20A
  • Capacitancia Vr, F
    412pF @ 0V, 1MHz
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Descripción: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

Descripción: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Descripción: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN10T2D

RFN10T2D

Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

Descripción: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Descripción: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Descripción: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Descripción: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Descripción: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir