APTC60DAM24T1G

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Especificaciones

Número de pieza

APTC60DAM24T1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 95A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTC60DAM24T1G.pdf
2.APTC60DAM24T1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 47.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

462W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 95A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

95A (Tc)

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APTC60DAM18CTG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 143A SP4

Fabricantes: Microsemi

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