APTC60DDAM35T3G

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Especificaciones

Número de pieza

APTC60DDAM35T3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTC60DDAM35T3G.pdf
2.APTC60DDAM35T3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 5.4mA
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 72A, 10V
Potencia - Max

416W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP3
Otros nombres

APTC60DDAM35T3GMP
APTC60DDAM35T3GMP-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

518nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

72A

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APTC60DDAM45T1G

Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Fabricantes: Microsemi

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