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APTM100UM65DAG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTM100UM65DAG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APTM100UM65DAG.pdf
    2.APTM100UM65DAG.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 20mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SP6
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    78 mOhm @ 72.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3250W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP6
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    28500pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1068nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1000V
  • Descripción detallada
    N-Channel 1000V 145A (Tc) 3250W (Tc) Chassis Mount SP6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    145A (Tc)

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