APTM100UM65SAG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM100UM65SAG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM100UM65SAG.pdf
2.APTM100UM65SAG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 20mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SP6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

78 mOhm @ 72.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3250W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP6
Otros nombres

APTM100UM65SAGMI
APTM100UM65SAGMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

28500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1068nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 145A (Tc) 3250W (Tc) Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

145A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM100UM65SAG".

APTM10DDAM09T3G

Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Fabricantes: Microsemi

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