APTM10DAM05TG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM10DAM05TG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM10DAM05TG.pdf
2.APTM10DAM05TG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SP4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 125A, 10V
La disipación de energía (máximo)

780W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP4
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

700nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 278A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

278A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM10DAM05TG".

APTM10DSKM19T3G

Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Fabricantes: Microsemi

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