APTM10AM02FG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM10AM02FG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM10AM02FG.pdf
2.APTM10AM02FG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 10mA
Paquete del dispositivo

SP6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 mOhm @ 200A, 10V
Potencia - Max

1250W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP6
Otros nombres

APTM10AM02FGMI
APTM10AM02FGMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1360nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

495A

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM10AM02FG".

APTM100TA35SCTPG

Descripción: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Fabricantes: Microsemi

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