NJV4030PT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NJV4030PT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 40V 3A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJV4030PT3G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 300mA, 3A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-223 (TO-261)
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

NJV4030PT3G-ND
NJV4030PT3GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

160MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 160MHz 2W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A

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Descripción: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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