APTM10DHM09TG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM10DHM09TG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM10DHM09TG.pdf
2.APTM10DHM09TG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo

SP4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 69.5A, 10V
Potencia - Max

390W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP4
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

350nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

139A

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM10DHM09TG".

APTM10HM09FT3G

Descripción: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

Fabricantes: Microsemi

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APTM10DHM09TG

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