US6X6TR

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Especificaciones

Número de pieza

US6X6TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

US6X6TR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

US6X6CT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

300MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1.5A 300MHz 1W Surface Mount TUMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1.5A
Número de pieza base

US6X

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Envío
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US6T5TR

Descripción: TRANS PNP 30V 2A TUMT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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